金红石型铌氧氮化物及其制造方法、以及半导体结构体

摘要

本发明提供一种具有金红石型晶体结构、由化学式NbON表示的金红石型铌氧氮化物。并且，本发明还提供一种半导体结构体(100)，其包含：至少一个主面由具有金红石型晶体结构的金红石型化合物形成的基板(110)、和在基板(110)的所述一个主面上生长的具有金红石型晶体结构、由化学式NbON表示的铌氧氮化物(例如金红石型铌氧氮化物膜(120))。