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范大勇; 王秀丽; 冯兆池; 李灿;
中国科学院大连化学物理研究所,催化基础国家重点实验室&洁净能源国家实验室,大连116023;
中国科学院大学,北京100049;
SrxBa1-xNb2O6; 荧光热猝灭; 光致荧光猝灭;
机译:电子和空穴注入的可行性在掺杂掺杂锶钡铌酸锶(SBN50)SR_(0.5)BAO.5NB_2O_ 6进行热电应用
机译:SBN60,100 K的铌酸锶钡钡
机译:通过使用K:SBN模板层的溶胶-凝胶工艺在Si衬底上生长高取向铌酸锶钡锶薄膜
机译:使用kelvin力显微镜(KFM)研究了锶钡铌酸钡(SBN)外延薄膜的局部极化
机译:通过模板化晶粒生长制备的织构锶(0.53)钡(0.47)铌(2)氧(6)陶瓷的制备和电性能。
机译:SBN60铌酸锶钡钡100 K
机译:锶 - 钡 - 铌(sBN)薄膜的结构表征,介电和铁电性能铌酸锶钡(sBN)薄膜的结构表征,介电和铁电性能
机译:光激发铌酸锶钡的复阻抗研究
机译:溶胶凝胶法制备多晶铌酸锶钡(SBN)
机译:铈掺杂铌酸锶钡单晶
机译:基于钛酸钡锶/钽酸钡/铌酸钡的可调谐低损耗陶瓷复合材料化合物
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