一种双向NPN穿通型超低压TVS结构及其制备方法

摘要

一种双向NPN穿通型超低压TVS结构及其制备方法，随着半导体IC制造工艺最小线宽的不断降低，半导体IC的工作电压也变得越来越低，工作电压从最初的5V降低到3.3V，再从3.3V降低到2.5V，这就需要作为过压保护的TVS击穿电压也要相应的降低，以便更好地保护半导体IC，当二极管TVS击穿电压低于5V后，齐纳击穿的隧道效应会导致击穿曲线软化，漏电增大至1E‑5A的水平，漏电增大会导致功耗增大，发热量增大等等一系列问题，此发明的双向NPN穿通型TVS既能做到击穿电压低于5V，同时又能保证优秀的击穿曲线，且漏电低至1E‑9A的水平。