一种碳化硅MOSFET短路承受时间的预估方法

摘要

一种碳化硅MOSFET短路承受时间的预估方法，涉及功率半导体和电力电子技术领域。根据不同温度情况下的转移特性曲线，拟合饱和电流随温度变化的表达式，求出饱和电流随温度变化曲线的最大值；建立碳化硅MOSFET芯片的一维热传导模型，用有限差分法解一维热传导方程，可以计算一维系统的温度分布；将数据加入到一维热传导模型，获得结温随时间变化的曲线；找到临界结温所对应的短路时间，即为短路承受时间。本发明的技术方案可以在不破坏器件的情况下，直接通过检测联合简单的计算即可得到近似的短路承受时间。