一种型单晶硅定晶向多线切割工艺

摘要

本发明公开了一种型单晶硅定晶向多线切割工艺，具体来说是一种型单晶硅以特定晶向作为切割方向的多线切割工艺。本切割工艺先通过X射线定向仪确定型单晶硅径向的[1‑10]、[‑110]、[01‑1]、[0‑11]、[10‑1]及[‑110]六个晶向位置，然后在粘棒过程中，通过旋转单晶棒，使得其中任意一个晶向垂直于粘棒托进行粘接，切割时，切割线即能沿着该晶向方向进行切割。切割线径0.12mm，切割线张力20N，送线速度100m/min。采取本工艺，可以有效减小单晶硅片WARP，相比任意方向切割而言，沿以上六个晶向方向切割单晶硅片WARP能够减小4‑8μm，提升市场竞争力。