声明
第一章 绪论
1.1 半导体材料的特点及应用
1.2 单晶硅材料常用加工方式
1.3 单晶硅晶体定向切割技术
1.4 研究背景、意义及主要内容
第二章 单晶硅定晶向切割及后处理表面轮廓对晶向精度的影响
2.1 电火花线切割单晶硅实验及检测设备
2.2 线切割表面轮廓与晶向误差的关系
2.3 电火花线切割后表面轮廓对晶向精度的影响
2.4 机械研磨后硅片表面轮廓对晶向精度的影响
2.5 化学腐蚀后硅片表面轮廓对晶向精度的影响
2.6 结论
第三章 基于X射线回摆曲线法测定单晶硅定晶向损伤层深度
3.1 X射线回摆曲线法检测原理
3.2 实验方法
3.3 实验结果与讨论
3.4 结论
第四章 多次切割对单晶硅晶向精度和损伤层深度的影响
4.1 定晶向单晶硅电火花多次切割原理及要求
4.2 定晶向放电切割加工参数的确定
4.3 实验结果与分析
4.4 结论
第五章 总结与展望
5.1 课题完成的主要工作
5.2 课题后续研究展望
参考文献
致谢
攻读硕士期间发表的学术论文