包括功率半导体的晶片级芯片规模封装件及其制造方法

摘要

一种包括功率半导体的晶片级芯片规模封装件及其制造方法。晶片级芯片规模封装件包括：功率半导体，包括形成在半导体基底上的第一半导体器件和形成在所述半导体基底上的第二半导体器件；公共漏极，连接到第一半导体器件和第二半导体器件；第一源极金属凸块，形成在第一半导体器件的表面上；第二源极金属凸块，形成在第二半导体器件的表面上，其中，第一源极金属凸块、公共漏极和第二源极金属凸块按第一源极金属凸块、公共漏极和第二源极金属凸块的顺序形成电流通路。