具有掺杂的外延结构的III族氮化物半导体器件

摘要

公开了具有掺杂的外延结构的III族氮化物半导体器件。一种化合物半导体器件包括掺杂有碳和/或铁的第一III族氮化物缓冲层、在第一III族氮化物缓冲层上方并且掺杂有碳和/或铁的第二III族氮化物缓冲层、在第二III族氮化物缓冲层上方的第一III族氮化物器件层、以及在第一III族氮化物器件层上方并且具有不同于第一III族氮化物器件层的带隙的第二III族氮化物器件层。二维电荷载气沿着第一和第二III族氮化物器件层之间的界面产生。第一III族氮化物缓冲层具有大于第二III族氮化物缓冲层的碳和/或铁的平均掺杂浓度。第二III族氮化物缓冲层具有相当于或大于第一III族氮化物器件层的碳和/或铁的平均掺杂浓度。描述了一种制造化合物半导体器件的方法。