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宽带隙半导体基板的缺陷检查方法和缺陷检查装置

摘要

提供如下的方法和缺陷检查装置:虽然采用了简单的装置结构,但能够迅速且可靠地检查产生在宽带隙半导体基板中的缺陷。具体而言,对产生在宽带隙半导体基板中的缺陷进行检查的方法或缺陷检查装置的特征在于,朝向所述宽带隙半导体基板照射激发光,对因所述激发光照射到所述宽带隙半导体基板而发出的可见光区域的光致发光进行拍摄,根据所拍摄的包含所述可见光区域的光致发光在内的图像中的、从所述宽带隙半导体基板的不存在缺陷的部位发出的光的强度与从该宽带隙半导体基板的缺陷部位发出的光的强度的差异,对产生在该宽带隙半导体基板中的缺陷进行检查。

著录项

  • 公开/公告号CN107110782A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-08-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东丽工程株式会社;

    申请/专利号CN201680004691.X

  • 发明设计人 村田浩之;大槻真左文;

    申请日2016-01-22

  • 分类号G01N21/64(20060101);G01N21/88(20060101);H01L21/66(20060101);

  • 代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人于靖帅;乔婉

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-06-19 03:12:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-09-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N21/64 申请日:20160122

    实质审查的生效

  • 2017-08-29

    公开

    公开

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