首页> 中国专利> 等离子体耐蚀刻性得到提高的工艺部件及工艺部件的等离子体耐蚀刻性强化处理方法

等离子体耐蚀刻性得到提高的工艺部件及工艺部件的等离子体耐蚀刻性强化处理方法

摘要

本发明用于解决半导体或显示器制造设备的工艺部件暴露于等离子体而被蚀刻的问题,涉及在工艺部件涂敷陶瓷粉末之前后通过除去表面(工艺部件本体的表面及涂敷膜表面)的谷和峰来提高等离子体耐蚀刻性的方法及由此等离子体耐蚀刻性得到提高的工艺部件。本发明提供等离子体耐蚀刻性得到提高的工艺部件,作为暴露于等离子体的半导体或显示器制造设备工艺部件,其特征在于,在除去部分或全部谷和峰的本体的表面形成涂敷膜,从上述涂敷膜表面除去部分或全部谷和峰。

著录项

  • 公开/公告号CN107004558A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-08-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式公司品維斯;金沃律;金沃珉;

    申请/专利号CN201580059892.5

  • 发明设计人 金沃律;金沃珉;

    申请日2015-11-04

  • 分类号H01J37/32(20060101);

  • 代理机构11212 北京轻创知识产权代理有限公司;

  • 代理人杨立

  • 地址 韩国京畿道龙仁市器兴区东白中央路16番道16-25808号(中洞、大宇福林提工业大厦1园区)

  • 入库时间 2023-06-19 02:55:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-08-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J37/32 申请日:20151104

    实质审查的生效

  • 2017-08-01

    公开

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