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公开/公告号CN107004558A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-08-01
原文格式PDF
申请/专利权人 株式公司品維斯;金沃律;金沃珉;
申请/专利号CN201580059892.5
发明设计人 金沃律;金沃珉;
申请日2015-11-04
分类号H01J37/32(20060101);
代理机构11212 北京轻创知识产权代理有限公司;
代理人杨立
地址 韩国京畿道龙仁市器兴区东白中央路16番道16-25808号(中洞、大宇福林提工业大厦1园区)
入库时间 2023-06-19 02:55:17
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-08-25
实质审查的生效 IPC(主分类):H01J37/32 申请日:20151104
实质审查的生效
2017-08-01
公开
机译: 具有改善的抗等离子体蚀刻性的工艺部件和增强抗等离子体蚀刻性的方法
机译: 具有改善的等离子体耐蚀性的处理部件以及用于增强处理部件的耐等离子体蚀性的处理方法
机译: 等离子体增强化学气相沉积法制备耐磨耗性和耐擦伤性提高的聚碳酸酯透明板
机译:在氮化AZ91mg合金上耐腐蚀性,纳米机械性能和含有蛋白质植入和等离子体蚀刻的耐等离子体蚀刻的TA / TAN分层多层涂层的耐腐蚀性和生物相容性
机译:温度对使用氯等离子体的GaN蚀刻工艺中等离子体引起的损伤和化学反应的温度依赖性
机译:使用SIF4 / H2 / AR等离子体化学通过锯齿定制电压波形激发的电极选择性沉积/蚀刻工艺
机译:实用的PZT干蚀刻工艺,通过使用MORI / sup TM /高密度等离子体系统,可提高热释电探测器阵列中顶部电极的接触可靠性
机译:基于等离子体的铜蚀刻工艺的工艺和可靠性评估。
机译:校正:Haj-KhlifaS.等。一种新型的高效纳米氢化物处理方法:将多元醇工艺偶联到冷等离子体上:以纳米Ni2H为例。纳米材料202010136
机译:具有传统电感耦合等离子体(ICP)蚀刻器的深硅蚀刻工艺的开发
机译:调整材料和部件属性以减轻重量并提高名义V型船体结构的耐爆性。