公开/公告号CN110739211B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-23
原文格式PDF
申请/专利权人 ASM IP 控股有限公司;
申请/专利号CN201910653943.7
发明设计人 R·H·J·沃乌尔特;小林伸好;堤隆嘉;堀胜;
申请日2019-07-19
分类号H01L21/033(20060101);
代理机构11245 北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人赵志刚
地址 荷兰阿尔梅勒
入库时间 2022-08-23 12:10:51
机译: 等离子体改性的介电材料选择性循环干法刻蚀工艺
机译: 等离子体改性的介电材料选择性循环干法刻蚀工艺
机译: CF4 / O2 / N2等离子体中有效的干式环氧丙烷及其混合氧化物干蚀刻工艺