首页> 中国专利> 使用等离子体改性的介电材料的选择性循环干式蚀刻工艺

使用等离子体改性的介电材料的选择性循环干式蚀刻工艺

摘要

在一些实施例中,通过化学原子层蚀刻在反应室中相对于衬底的第二表面选择性循环(任选地干式)蚀刻所述衬底的第一表面包含使用第一等离子体形成改性层并蚀刻所述改性层。所述第一表面包含碳和/或氮化物,而所述第二表面不包含碳和/或氮化物。

著录项

  • 公开/公告号CN110739211B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ASM IP 控股有限公司;

    申请/专利号CN201910653943.7

  • 申请日2019-07-19

  • 分类号H01L21/033(20060101);

  • 代理机构11245 北京纪凯知识产权代理有限公司;

  • 代理人赵志刚

  • 地址 荷兰阿尔梅勒

  • 入库时间 2022-08-23 12:10:51

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