一种改变电子束提纯多晶硅凝固坩埚铺底方式的方法

摘要

一种改变电子束提纯多晶硅凝固坩埚铺底方式的方法，属于电子束熔炼领域。包括将3kg厚度7‑10mm多晶硅片平铺凝固坩埚底部，在多晶硅片上铺5kg多晶硅碎片；预热电子枪；逐渐增加照射熔炼坩埚的电子枪功率到250kW，照射凝固坩埚的电子枪功率到50kW，熔化硅料；照射凝固坩埚的电子枪功率增加到200kw，熔炼硅料；关闭照射熔炼坩埚的电子枪，硅液倾倒后，将照射凝固坩埚的电子枪功率增加到250kW；将照射熔炼坩埚的电子枪功率增加到250kw，硅料熔化与熔炼；关闭照射熔炼坩埚的电子枪，硅液倾倒后开启的电子枪按250kW维持10min，200kW维持2min，150kW维持3min，120kW维持5min，100kW维持7min，80kW维持8min，50kW维持12min，30kW维持16min，20kW维持20min，0kW降束凝固。本发明可提高产品出成率，降低电子束提纯多晶硅能耗。