电子束提纯多晶硅工艺研究

摘要

重点介绍了电子束提纯多晶硅原理、电子束提纯炉工作原理、电子束提纯炉设备结构、电子束炉熔炼时间和熔炼温度选择。在实验环境中,炉室真空保持在1.0×10-2Pa以上,电子枪功率保持在250 k W,实验结果发现,熔炼40min后主要杂质元素含量可以降低一个数量级。