法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-08-10
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/336 申请日:20160406
实质审查的生效
2017-04-19
公开
公开
机译: 在源极/漏极上形成包括导电触点的半导体器件的方法
机译: 利用源极/漏极的过分生长来制造半导体器件的方法,以形成自对准的,无间隔损耗的接触件,以及一种以相同方式制成的半导体器件
机译: 利用源极/漏极的过分生长来制造半导体器件的方法,以形成自对准的,无间隔损耗的接触件,以及一种以相同方式制成的半导体器件