通过使用增强的横向控制栅与浮栅耦合而改进缩放的分裂栅闪存单元

摘要

本发明涉及非易失性存储器单元，所述非易失性存储器单元包括第一导电类型的半导体衬底、在第二导电类型的衬底中间隔开的第一区和第二区，在所述衬底中两者之间具有沟道区。浮栅具有竖直设置在所述沟道区的第一部分上方的第一部分和竖直设置在所述第一区上方的第二部分。所述浮栅包括终止于一个或多个尖锐边缘的倾斜上表面。擦除栅竖直设置在所述浮栅上方，其中所述一个或多个尖锐边缘面向所述擦除栅。控制栅具有横向相邻于所述浮栅设置并竖直设置在所述第一区上方的第一部分。选择栅具有竖直设置在所述沟道区的第二部分上方并横向相邻于所述浮栅的第一部分。