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用于金属栅极技术的P栅极到N栅极边界电阻的分路

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在所描述的示例中，集成电路(100)包括具有金属栅极NMOS晶体管(104)和金属栅极PMOS晶体管(105)的部件。NMOS晶体管(104)的金属栅极结构(107)被设置成电气串联并邻接PMOS晶体管(105)的金属栅极结构(113)。栅极分路(124)在NMOS晶体管(104)的金属栅极结构(107)和PMOS晶体管(105)的金属栅极结构(113)之间的边界上方形成。该栅极分路(124)在NMOS晶体管(104)的金属栅极结构(107)和PMOS晶体管(105)的金属栅极结构(113)之间提供低电阻连接。该栅极分路(124)没有通过集成电路(100)的互连元件至其它部件的电连接。

著录项

公开/公告号CN106463506A

专利类型发明专利
公开/公告日2017-02-22

原文格式PDF
申请/专利权人德克萨斯仪器股份有限公司;
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申请/专利号CN201580025789.9
发明设计人 S·莱特尔;M·楠达库玛;
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申请日2015-05-20
分类号H01L27/092;H01L21/8238;
代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人徐东升
地址美国德克萨斯州
入库时间 2023-06-19 01:45:31

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-03-06

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L27/092 申请公布日:20170222 申请日:20150520

发明专利申请公布后的视为撤回
2017-04-26

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/092 申请日:20150520

实质审查的生效
2017-02-22

公开

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