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机译:再谈适用于高$ K $ /金属栅极技术的栅极电阻的RF紧凑模型
STMicroelectronics, Crolles, France;
28nm; Compact modeling; HKMG; MOS; RF; gate resistance;
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机译:高κ/金属栅极晶体管界面层的研究
机译:在存在随机界面陷阱的情况下16nm栅极高κ/金属栅极体FinFET器件的电特性波动
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