一种一步法合成Si/IIB-VIB族半导体纳米p-n结的方法

摘要

一种一步法合成Si/IIB-VIB族半导体纳米p-n结的方法，是在水平管式炉中进行化学气相沉积方法，在1000-1100℃蒸发IIB-VIB族材料，在保温过程中引入硅烷，或同时引入III族或V族气态掺杂元素，由于硅与IIB-VIB族材料互溶性小，其通常生长在IIB-VIB族纳米结构的表面，形成IIB-VIB(核)-Si(壳)结构。而掺杂元素的引入使得Si(壳)与IIB-VIB(核)具有互补的掺杂类型，构成高质量纳米p-n结，即可一步法实现Si/IIB-VIB纳米p-n结的生长。另一方面，由于Si作为外包裹材料的径向生长限制作用，内核IIB-VIB纳米线的直径可以限制在10纳米以内，所以这种方法也可作为生长具有量子效应的小尺寸IIB-VIB纳米结构的方法。