首页> 中文期刊> 《固体电子学研究与进展》 >氧化锌宽禁带半导体薄膜的发光及其p-n结特性

氧化锌宽禁带半导体薄膜的发光及其p-n结特性

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

报道了用直流反应溅射法制备的氧化锌薄膜的近紫外发射以及热处理条件对受激发射谱的影响。同时用化学反应辅助掺杂方法生长了 p型和 n型 Zn O薄膜 ,研究了 Zn O/ Si异质结和氧化锌同质 p-n结的电压 -电流特性 (I-V特性 )

著录项

来源
《固体电子学研究与进展》 |2002年第4期|417-420|共5页
作者
林碧霞; 傅竹西; 刘磁辉; 廖桂红; 朱俊杰; 段理;
展开▼
作者单位

中国科学院结构分析开放实验室;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类溅射;
关键词
氧化锌薄膜; 近紫外发射; 异质结; 同质p-n结;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 结合椭圆偏振光谱与傅里叶红外光谱的宽禁带半导体薄膜光学特性表征 [J] . 谢灯 ,丘志仁 ,万玲玉 . 光散射学报 . 2016,第003期
2. 宽禁带Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体薄膜及超晶格的外延生长及特性研究 [J] . 王杰 ,俞根才 ,诸长生 . 物理学报 . 1995,第009期
3. 带隙可调的宽禁带半导体MgxZn1-xO薄膜研究进展 [J] . 李春 ,方国家 ,赵兴中 . 功能材料 . 2005,第002期
4. 基于专利的氧化锌宽禁带半导体材料技术中外比较 [J] . 吴菲菲 ,张亚茹 ,黄鲁成 . 情报杂志 . 2015,第011期
5. 磷光染料/宽禁带半导体聚合物高效率能量转移体系的电致发光 [J] . 沈方中 ,路萍 ,邱松 . 发光学报 . 2003,第006期
6. 宽禁带半导体材料及纳米材料的低温光致发光研究 [C] . 万寿科 ,孙学浩 ,张金福 . 第四届中国功能材料及其应用学术会议 . 2001
7. 宽禁带半导体薄膜制备及其发光性能研究 [A] . 汪洪 . 2008

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号