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抛光状态监视方法、抛光状态监视装置、抛光设备、加工晶片、半导体器件制造方法和半导体器件

摘要

本发明涉及抛光状态监视方法、抛光状态监视装置、抛光设备、加工晶片、半导体器件制造方法和半导体器件。在晶片的抛光以前,把具有与晶片一样的形状和尺寸的反射物体替换晶片固定在抛光头上。在抛光底盘中的窗口和反射物体之间放入抛光剂,并且用与晶片的抛光期间施加的压力一样的压力把反射物体压向抛光底盘。在这样的状况下,用从光源发射的探测光经由窗口照射反射物体,并且从传感器获得反射光的光谱强度作为参考光谱。在晶片的抛光期间,从传感器陆续获得从晶片反射的光的光谱强度作为一些测量光谱。测定这些测量光谱对上述的参考光谱的强度比率,并根据这样的强度比率监视晶片的抛光状态。

著录项

  • 公开/公告号CN101791781B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-12-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社尼康;

    申请/专利号CN201010144082.9

  • 发明设计人 石川彰;潮嘉次郎;

    申请日2000-12-19

  • 分类号B24B37/04(20120101);G01B11/00(20060101);H01L21/304(20060101);

  • 代理机构11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人杜日新

  • 地址 日本东京

  • 入库时间 2022-08-23 09:12:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-12-19

    授权

    授权

  • 2010-09-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):B24B 37/04 申请日:20001219

    实质审查的生效

  • 2010-08-04

    公开

    公开

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