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公开/公告号CN101791781B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-12-19
原文格式PDF
申请/专利权人 株式会社尼康;
申请/专利号CN201010144082.9
发明设计人 石川彰;潮嘉次郎;
申请日2000-12-19
分类号B24B37/04(20120101);G01B11/00(20060101);H01L21/304(20060101);
代理机构11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人杜日新
地址 日本东京
入库时间 2022-08-23 09:12:27
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-12-19
授权
2010-09-22
实质审查的生效 IPC(主分类):B24B 37/04 申请日:20001219
实质审查的生效
2010-08-04
公开
机译: 监测抛光状态抛光设备过程晶片半导体器件的方法和装置以及制造半导体器件的方法
机译: 晶片的抛光状态监视方法和抛光状态监视装置
机译: 抛光装置,抛光方法,使用该抛光装置制造半导体器件的方法以及该制造方法制造的半导体器件
机译:用于半导体器件的晶片斜面抛光装置
机译:半导体器件的晶圆斜面抛光设备
机译:CMP技术制造半导体器件的基础研究-工件和抛光工具表面之间的关系-
机译:VHF微EDM脉冲发生器的放电状态检测方法,用于光电器件抛光
机译:半导体晶片的化学机械抛光:预测晶片表面形状的表面元素建模和仿真
机译:用于快速低量多二甲基硅氧烷和热塑性微流体器件制造的聚合物微通道和微胶体表面抛光
机译:通过使用非接触式化学和动态抛光方法对针对半导体晶片上切割痕迹的去除过程进行建模
机译:半导体测量技术:自动测定双面抛光硅晶片的间隙氧含量