制造占地面积减少的高压晶体管的方法和对应集成电路

摘要

本发明的实施例涉及制造具有减少的面积的高压晶体管的方法和对应集成电路。一种集成MOS晶体管在基板中形成。晶体管包括掩埋在基板的沟槽中的栅极区。栅极区由覆盖沟槽的内壁的介电区围绕。源极区和漏极区位于在沟槽的相对侧的基板中。介电区包括至少部分地位于栅极区的上部与源极区和漏极区之间的上介电区域。介电区还包括比上介电区域更薄并且位于栅极区的下部和基板之间的下介电区域。