一种应用于高压工艺集成电路中电源钳位结构

摘要

一种应用于高压工艺集成电路中电源钳位结构，包括单体MLSCR器件，其包含P阱和N阱，P阱和N阱之间有一桥状P+注入区，所述桥状P+注入区的尺寸范围在2.5μm～10.0μm，所述电源钳位结构还可采用至少两个上述单体MLSCR器件级联，每个上一级单体MLSCR器件的负极和下一级单体MLSCR器件的正极通过金属连接，且第一级单体MLSCR器件的正极为级联结构的正极，最后一级单体MLSCR器件的负极为级联结构的负极，该电源钳位结构，其单位面积静电防护能力强，通过桥状P+注入区的尺寸调节控制钳位电压，随着级联级数的倍增，级联器件的触发电压值以及钳位电压值也跟着倍增，不用较多的实验计算，易于普及应用。