机译:65 nm CMOS工艺中的金属层电容器及其在低泄漏电源轨ESD钳位电路中的应用
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics, National Chiao-Tung University, Hsinchu, Taiwan;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics, National Chiao-Tung University, Hsinchu, Taiwan;
机译:采用65nm低压CMOS工艺的新型低泄漏电源轨ESD钳位电路
机译:低泄漏二极管串的设计,用于0.35- / splμ/ m硅化物CMOS工艺的电源导轨ESD钳位电路
机译:2个$ times $ VDD耐压电源轨ESD钳位电路的新设计,用于采用65 nm CMOS技术的混合电压I / O缓冲器
机译:采用MOM电容器和STSCR的65nm CMOS工艺低泄漏电源轨ESD钳位电路设计
机译:65纳米体CMOS中的W波段无源和有源电路,用于无源成像应用。
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:65-NM CMOS工艺中的新型静电触发电源轨ESD钳电路的设计
机译:使用辐射硬CmOs专用集成电路的热辐射计信号处理用于恶劣的行星环境。