公开/公告号CN106252354A
专利类型发明专利
公开/公告日2016-12-21
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN201510768063.6
申请日2015-11-11
分类号
代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司;
代理人章社杲
地址 中国台湾新竹
入库时间 2023-06-19 01:13:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-04-23
授权
授权
2017-01-18
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/115 申请日:20151111
实质审查的生效
2016-12-21
公开
公开
机译: 具有栅极结构的EPROM单元,该栅极结构具有不同组成的双侧壁间隔层
机译: 用于改进控制栅极均匀性的方法,包括嵌入式闪存的处理器
机译: 用于改进嵌入式闪存的处理器的控制栅极均匀性的方法