由局部硅外延籽晶形成的体晶片中的隔离半导体层

摘要

在所描述的示例中，一种集成电路(100)可以通过在基于单晶硅的衬底(102)中的隔离槽(118)内形成埋入式隔离层(124)来形成。在埋入式隔离层(124)处的衬底(102)的裸露侧表面(132)被电介质侧壁(136)覆盖。籽晶沟槽(140)穿过埋入式隔离层(124)形成以曝露出衬底(102)。基于单晶硅的籽晶层(144)穿过籽晶沟槽(140)形成并且延伸高于埋入式隔离层(124)的顶表面(126)。硅基非晶层(150)被形成为与籽晶层(144)接触。保护层(152)被形成在非晶层(146)上方。辐射感应的再结晶工艺将非晶层(150)转换为与籽晶层(144)对齐的单晶层。保护层(152)被移除并且单晶层被平坦化，留下在埋入式隔离层(124)上方的隔离半导体层。