首页> 美国卫生研究院文献>Scientific Reports >Monolithically-Integrated TE-mode 1D Silicon-on-Insulator Isolators using Seedlayer-Free Garnet
【2h】

Monolithically-Integrated TE-mode 1D Silicon-on-Insulator Isolators using Seedlayer-Free Garnet

机译:使用无籽晶石榴石的单片集成TE模式1D绝缘体上硅隔离器

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

The first experimental TE-mode silicon-on-insulator (SOI) isolators using Faraday Rotation are here realized to fill the ‘missing link’ in source-integrated near infrared photonic circuits. The isolators are simple 1D 2-element waveguides, where garnet claddings and longitudinal magnetic fields produce nonreciprocal mode conversion, the waveguide equivalent of Faraday Rotation (FR). Quasi-phase matched claddings are used to overcome the limitations of birefringence. Current experimental SOI isolators use nonreciprocal phase shift (NRPS) in interferometers or ring resonators, but to date NRPS requires TM-modes, so the TE-modes normally produced by integrated lasers cannot be isolated without many ancillary polarisation controls. The presented FR isolators are made via lithography and sputter deposition, which allows facile upscaling compared to the pulsed laser deposition or wafer bonding used in the fabrication of NRPS devices. Here, isolation ratios and losses of 11 dB and 4 dB were obtained, and future designs are identified capable of isolation ratios >30 dB with losses <6 dB.
机译:在这里实现了首个使用法拉第旋转技术的实验性TE模式绝缘体上硅(SOI)隔离器,以填充源集成近红外光子电路中的“缺失环节”。隔离器是简单的一维2元素波导,石榴石覆层和纵向磁场产生不可逆模式转换,相当于法拉第旋转(FR)。准相位匹配包层用于克服双折射的局限性。当前的实验性SOI隔离器在干涉仪或环形谐振器中使用不可逆相移(NRPS),但迄今为止,NRPS要求使用TM模式,因此,如果没有许多辅助偏振控制,集成激光器通常产生的TE模式将无法隔离。所提出的FR隔离器是通过光刻和溅射沉积制成的,与NRPS器件制造中使用的脉冲激光沉积或晶圆键合相比,可以轻松实现放大。在这里,获得了11 lossesdB和4 dB的隔离比和损耗,并确定了未来的设计能够隔离比> 30 dB而损耗<6 dB。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号