改善绝缘层与金属扩散阻挡层的交界面性能的方法

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种改善绝缘层与金属扩散阻挡层的交界面性能的方法，可应用于绝缘层中制备金属结构的工艺中，通过在绝缘层中进行刻蚀工艺后，对保留的绝缘层进行硅修复工艺，以有效的改善进行上述刻蚀工艺时对绝缘层中的碳造成的巨大损失，同时还能保持绝缘层表面的疏水特性，进而改善绝缘层与金属阻挡层之间的黏结性能，保持绝缘层介电常数的稳定，以减小最终制备器件产品的漏电流，提高产品的良率。