一种改善铜阻挡层与铜金属层的粘结性能的方法

摘要

本发明提出一种改善铜阻挡层与铜金属层的粘结性能的方法，包括下列步骤：提供具有铜金属层的半导体基底；在所述铜金属层上沉积第一介电质层；在所述第一介电质层上沉积第二介电质层；在所述第二介电质层上沉积低K值薄膜，其中，所述第一介电质层为氮化硅薄膜，所述第二介电质层为碳化硅薄膜。本发明提出的改善铜阻挡层与铜金属层的粘结性能的方法，在不影响整体介电质层介电常数的前提下，大幅提扩散阻挡层与铜金属层的粘结性能。