采用背面深沟槽隔离的背照式图像传感器的制作方法

摘要

本发明提供一种采用背面深沟槽隔离的背照式图像传感器的制作方法,该制作方法包括:提供第一晶圆;于第一晶圆的第一面形成介质层，刻蚀介质层暴露出第一晶圆的第一面，形成若干隔离区域；选择性外延第一晶圆，并覆盖隔离区域;形成图像传感器器件，减薄或者去除部分的第一晶圆的第二面形成深沟槽隔离结构。本发明的技术方案中，于形成图像传感器器件之前形成介质层深沟槽隔离区域，该隔离区域的表面形状较好、缺陷较少，并通过对第一晶圆表面的硅进行选择性外延覆盖并保护该隔离区域，由于硅在隔离区形成后生长，高温制程保证了不会有应力传导进硅器件区域。