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射频(RF)–溅射沉积源、沉积设备及其组装方法

摘要

描述了一种用于在真空腔室中溅射沉积的溅射沉积源。该源包括:真空腔室的壁部分;目标,在溅射沉积期间提供待沉积的材料;RF电源,用于向目标提供RF功率;功率连接器,用于将目标与RF电源连接;以及导体棒,穿过壁部分从真空腔室内部延伸至真空腔室外部,其中导体棒被连接至真空腔室内部的一个或多个部件,并且其中导体棒被连接至真空腔室外部的RF电源以生成穿过导体棒的定义的RF返回路径。

著录项

  • 公开/公告号CN105706212A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-06-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 应用材料公司;

    申请/专利号CN201380080736.8

  • 申请日2013-11-05

  • 分类号H01J37/32;H01J37/34;

  • 代理机构上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人黄嵩泉

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-18 15:41:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-11-20

    授权

    授权

  • 2016-12-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J37/32 申请日:20131105

    实质审查的生效

  • 2016-06-22

    公开

    公开

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