用于沟槽的原位掺杂的多晶硅填充料

摘要

本发明涉及一种用于沟槽的原位掺杂的多晶硅填充料。一种制造集成电路(IC)的方法(100)包括在半导体衬底中刻蚀(101)沟槽，所述沟槽具有≥5的纵横比(AR)和≥10μm的沟槽深度。沿着沟槽的壁形成(102)电介质内衬以形成电介质为内衬的沟槽。将原位掺杂的多晶硅沉积(104)到沟槽中以形成电介质为内衬、填充多晶硅的沟槽，该沟槽具有掺杂的多晶硅填充料在其中。在完成制造IC之后，掺杂的多晶硅填充料基本上是无孔的多晶硅并具有≤100ohms/sq的25℃的薄层电阻。该方法能够包括在沉积多晶硅之前在电介质内衬的底部刻蚀(103)开口，以提供到半导体衬底的欧姆接触。