公开/公告号CN113497032B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-25
原文格式PDF
申请/专利权人 江苏应能微电子有限公司;
申请/专利号CN202111047854.1
申请日2021-09-08
分类号H01L27/02(20060101);
代理机构32517 无锡市兴为专利代理事务所(特殊普通合伙);
代理人屠志力
地址 213002 江苏省常州市新北区华山路8号-5号楼
入库时间 2022-08-23 13:02:04
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-05-23
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L27/02 专利号:ZL2021110478541 变更事项:专利权人 变更前:江苏应能微电子有限公司 变更后:江苏应能微电子股份有限公司 变更事项:地址 变更前:213002 江苏省常州市新北区华山路8号-5号楼 变更后:213000 江苏省常州市天宁区创智路5号4号楼(8层、9层)
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
机译: 利用蒸气核形成的原位掺杂沟槽多晶硅存储单元结构
机译: 半导体器件闪存器件,具有在深沟槽隔离结构附近形成的寄生晶体管,其中掺杂的多晶硅材料填充结构的覆盖部分以增加晶体管的阈值电压
机译: 高压功率MOSFET的维持电压范围包括通过沟槽蚀刻形成的掺杂柱和从相反掺杂的多晶硅区域中扩散出来的电压