多晶硅膜的PECVD和LPCVD原位掺杂研究

摘要

对等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）和低压化学气相淀积（ＬＰＣＶＤ）两种方法制备掺杂多晶硅膜进行了详细的实验研究，通过时两者进行比较，对淀积的动力学特性、淀积膜的结构、膜的电特性与工艺条件的关系等进行了分析讨论。结果表明，采用ＰＥＣＶＤ方法，多晶硅膜的生长速率几乎不受淀积温度和杂质掺入量的影响，且较采用ＬＰＣＶＤ方法的生长速率提高一个量级；膜的电导率随杂质的掺入可提高六个量级，且与淀积温度无关，其片内均匀性为±２％。