法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-05-10
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B29/12 申请公布日:20160511 申请日:20141013
发明专利申请公布后的驳回
2016-06-08
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/12 申请日:20141013
实质审查的生效
2016-05-11
公开
公开
机译: 垂直温度梯度法在GaAs单晶生长过程中改变隔室的肩角来制造高质量GaAs单晶的方法
机译: 垂直温度梯度法平整GaAs单晶生长过程中固液界面的方法
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