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基于筛状电极的垂直有机场效应晶体管

摘要

本发明公开了基于筛状电极的垂直有机场效应晶体管,其特征在于:由衬底、漏极、有机有源层、筛状电极、栅介质层和栅极依次叠加组成,其中,漏极位于衬底之上,有机有源层位于漏极之上,筛状电极位于有机有源层之上,栅介质层位于筛状电极之上,栅极位于栅介质层之上。基于筛状电极的垂直有机场效应晶体管以很薄的近乎于单分子层的金属材料作为筛状电极,筛状电极具有良好的电场透过率和光透过率;采用垂直有机场效应晶体管结构,以减小载流子传输路径、增大载流子传输横截面积,进而制备出满足低工作电压、高输出电流、高工作频率的有机场效应晶体管。

著录项

  • 公开/公告号CN105489761A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-04-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国计量学院;

    申请/专利号CN201610031078.9

  • 申请日2016-01-14

  • 分类号H01L51/05;H01L51/10;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 310018 浙江省杭州市江干区学源街258号

  • 入库时间 2023-12-18 15:33:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-12-07

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L51/05 申请公布日:20160413 申请日:20160114

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2016-06-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/05 申请日:20160114

    实质审查的生效

  • 2016-04-13

    公开

    公开

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