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超薄EuF3电极修饰层对有机场效应晶体管性能的提升

         

摘要

采用EuF3薄层修饰低功函数金属Ag源、漏电极,制备了CuPc有机场效应晶体管,研究了不同厚度EuF3对器件性能的影响.结果表明,EuF3的厚度由0 nm增至0.6 nm时,接触电阻由23.65×105Ω· cm减至3.86×105 Ω·cm,使得器件载流子迁移率由1.5×10-3 cm2·V-1·s-1提高到4.65×10-3 cm2·V-1·s-1.UPS测试结果表明,薄层EuF3在Ag与有机半导体间形成了界面偶极势垒,使源漏电极表面功函数增大,空穴注入势垒降低,Ag电极与有机半导体层界面的接触电阻减小,进而提升了空穴的注入效率.

著录项

  • 来源
    《发光学报》 |2014年第2期|238-242|共5页
  • 作者

    李红; 甘至宏; 刘星元;

  • 作者单位

    发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林长春130033;

    中国科学院大学,北京100049;

    发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林长春130033;

    发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林长春130033;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 场致发光器件、电致发光器件;
  • 关键词

    场效应晶体管; EuF3; 修饰层;

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