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公开/公告号CN112951998A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-11
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院化学研究所;
申请/专利号CN201911171071.7
发明设计人 刘云圻;刘凯;郭云龙;李清源;匡俊华;
申请日2019-11-26
分类号H01L51/05(20060101);H01L51/10(20060101);H01L51/40(20060101);
代理机构11245 北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人王春霞
地址 100190 北京市海淀区中关村北一街2号
入库时间 2023-06-19 11:21:00
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-11-07
授权
发明专利权授予
机译: 用于电子电路的有机场效应晶体管包括掺杂以增加其导电性的有机半导体和与有机半导体肖特基接触的栅电极
机译: 一种用于降低有机场效应晶体管中电接触电阻的方法-通过在接触材料和有机半导体材料之间的界面处嵌入纳米粒子以产生场峰值
机译: 通过嵌入纳米颗粒以在接触材料和有机半导体材料之间的界面处产生场增强来降低有机场效应晶体管中的电接触电阻的方法和配置
机译:基于摄影光谱基于AR气体聚束离子束溅射探测有机半导体/电极界面在有机半导体/电极界面的能量水平控制效应持续性
机译:通过在漏电极/半导体界面处构造电子注入屏障来提高P型有机场效应晶体管的偏压稳定性
机译:具有自组装单层修饰电极的有机场效应晶体管的界面阻抗的直接研究
机译:半导体/电介质界面上基于A10x纳米粒子的有机场效应晶体管中的光响应和光诱导存储效应
机译:有机场效应晶体管:界面修饰,介电特性控制和半导体分子设计
机译:半导体:基于并五苯/ P13 /并五苯作为电荷传输层和陷阱层的有机半导体异质结构的高性能非易失性有机场效应晶体管存储器(Adv。Sci。8/2017)
机译:基于亚二酰亚胺的电子传输水栅有机场效应晶体管中的3D与2D电解质 - 半导体界面
机译:半导体电极/溶液界面的能量学:EQCm证据表明在二氧化钛/乙腈体系中积累层形成过程中电荷补偿阳离子吸附和插入