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Method for producing a vertical organic field-effect transistor, and vertical organic field-effect transistor

机译:垂直有机场效应晶体管的制造方法以及垂直有机场效应晶体管

摘要

The invention relates to a method for producing a vertical organic field-effect transistor, in which a vertical organic field-effect transistor with a layer arrangement is produced on a substrate, said layer arrangement including transistor electrodes, namely a first electrode (23; 24), a second electrode (23; 24) and a third electrode (32), electrically insulating layers (25; 34) and an organic semiconductor layer (28). In addition, a vertical organic field-effect transistor is provided, which includes a layer arrangement with transistor electrodes on a substrate (21).
机译:本发明涉及一种用于制造垂直有机场效应晶体管的方法,其中在基板上制造具有层布置的垂直有机场效应晶体管,所述层布置包括晶体管电极,即第一电极( 23; 24 ),第二电极( 23; 24 )和第三电极( 32 ),电绝缘层( 25; 34 < / B>)和有机半导体层( 28 )。另外,提供了一种垂直有机场效应晶体管,其包括在基板上具有晶体管电极的层布置( 21 )。

著录项

  • 公开/公告号US10170715B2

    专利类型

  • 公开/公告日2019-01-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NOVALED GMBH;

    申请/专利号US201715418254

  • 发明设计人 HANS KLEEMANN;GREGOR SCHWARTZ;

    申请日2017-01-27

  • 分类号H01L51/00;H01L51/10;H01L51/05;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 12:04:55

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