制备垂直有机场效应晶体管的方法及垂直有机场效应晶体管

摘要

本发明涉及制备垂直有机场效应晶体管的方法及垂直有机场效应晶体管。更具体而言，本发明涉及一种制备垂直有机场效应晶体管的方法，其中具有层配置的垂直有机场效应晶体管被制备在衬底上，所述层配置包含晶体管电极、电绝缘层(25；34)和有机半导体层(28)，晶体管电极也就是第一电极(23；24)、第二电极(23；24)和第三电极(32)。另外，本发明还提供了一种垂直有机场效应晶体管，其包含衬底(21)上的具有晶体管电极的层配置。