一种垂直沟道有机场效应晶体管的制备方法

摘要

本发明公开了垂直沟道有机场效应晶体管的制备方法，属于有机微电子学领域。该方法主要包括下列步骤：在绝缘衬底上制备平面源电极；在源电极层上沉积绝缘层，并使其图形化以隔离栅电极和源电极；在绝缘层的上表面制备长条状的栅电极；沉积介质层，使其包裹在栅电极两侧；沉积有机半导体层，使其包裹在介质层的外侧；在源电极表面、紧贴有机半导体层的外侧面沉积绝缘层；制备平面的漏电极，该方法采用低温工艺，不会对已做好的有机功能薄膜造成损伤，并且能够和现有的硅微加工技术兼容，能够充分利用现有设备，降低新器件制备的成本。