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METHOD FOR PRODUCING A VERTICAL ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR AND VERTICAL ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR

机译:制造垂直有机场效应晶体管和垂直有机场效应晶体管的方法

摘要

The invention relates to a method for producing a vertical organic field effect transistor in which a vertical organic field effect transistor with a layer arrangement is produced on a substrate, the transistor electrodes, namely a first electrode (23; 24), a second electrode (23; 24) and a third electrode (32), electrically insulating layers (25; 34) and an organic semiconductor layer (28). Furthermore, a vertical organic field-effect transistor is provided which has a layer arrangement with transistor electrodes on a substrate (21). (Fig. 4)
机译:本发明涉及一种制造垂直有机场效应晶体管的方法,其中在基板,晶体管电极,即第一电极(23),第二电极( 23; 24)和第三电极(32),电绝缘层(25; 34)和有机半导体层(28)。此外,提供了一种垂直有机场效应晶体管,其具有在基板(21)上的具有晶体管电极的层布置。 (图4)

著录项

  • 公开/公告号EP3200253B1

    专利类型

  • 公开/公告日2021-06-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号EP20160153391

  • 发明设计人 KLEEMANN HANS;SCHWARTZ GREGOR;

    申请日2016-01-29

  • 分类号H01L51/05;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-24 19:41:03

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