法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-03-22
授权
授权
2016-03-30
实质审查的生效 IPC(主分类):B81C1/00 申请日:20150209
实质审查的生效
2016-03-02
公开
公开
机译: 集成补偿双极和补偿MOS器件结构与合并CBICMOS器件结构及其形成方法
机译: 半导体结构,双功函数的CMOS器件,双功函数的CMOS电路以及在基板上形成双功函数的CMOS器件的方法(碳化物金属栅极结构和形成方法)
机译: 半导体结构,在双功函数的CMOS器件上形成双功函数的CMOS器件的方法,CMOS电路和双功函数的基板(碳化金属栅极结构和形成方法)