4H-SiC浮结结势垒肖特基二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种4H-SiC浮结结势垒肖特基二极管及其制备方法，所述4H-SiC浮结结势垒肖特基二极管包括：4H-SiC衬底；位于衬底上的第一4H-SiC外延层，第一4H-SiC外延层上方形成有浮结层；位于第一4H-SiC外延层和浮结层上的第二4H-SiC外延层；位于第二4H-SiC外延层上的结势垒区、结终端扩展及场限环；位于结终端扩展和场限环上方的SiO2层、以及位于部分SiO2层上的场板，场板中间形成肖特基接触窗口；位于衬底背面的欧姆接触的阴极、以及位于肖特基接触窗口内肖特基接触的阳极。本发明改善了4H-SiC浮结肖特基势垒二极管反向漏电流大的问题，同时，将传统高温离子注入工艺形成浮结结构的方法改变为刻蚀外延工艺，解决了离子注入产生晶格损伤导致器件性能下降的问题，有效提升了器件性能。