异质结太阳能电池PECVD工艺受硼污染解决方法

摘要

本发明提供了一种异质结太阳能电池PECVD工艺受硼污染解决方法，所述方法包括异质结太阳能电池PECVD设备，所述异质结太阳能电池PECVD设备对硅片进行I层工艺、N层工艺和P层工艺，所述异质结太阳能电池PECVD设备包括用以在所述P层工艺与后续I层工艺之间共用的循环用具，在P层工艺之后增加水蒸气处理工艺用以在I层工艺之前除去所述循环用具表面的硼残留。如此设置，可以迅速去除循环用具例如同一腔体内部或者共享托盘表面的硼残留，如此可提高后续硅片表面非晶硅的钝化效果，减少载流子在硅表面的复合，提高少子寿命。