首页> 中国专利> 一种SRAM芯片的PUF特性测试方法及装置

一种SRAM芯片的PUF特性测试方法及装置

摘要

本发明公开了一种SRAM芯片的PUF特性测试方法。本发明方法包括:步骤1、向待测SRAM芯片中的每个存储单元写入测试数据;步骤2、按照预设次数反复读取待测SRAM芯片中的每个存储单元的输出数据,并统计各存储单元输出数据在整个反复读取过程中的跳变信息;步骤3、根据所述跳变信息分析待测SRAM芯片的PUF特性。本发明还公开了一种SRAM芯片的PUF特性测试装置,用于实现上述方法。本发明可对SRAM芯片的PUF特性进行快速准确的测试,且测试装置全硬件实现,测试速度和准确率更高,成本更低。

著录项

  • 公开/公告号CN104810062A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-07-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东南大学;

    申请/专利号CN201510240841.4

  • 申请日2015-05-12

  • 分类号G11C29/56(20060101);

  • 代理机构32250 江苏永衡昭辉律师事务所;

  • 代理人王斌

  • 地址 214135 江苏省无锡市新区菱湖大道99号

  • 入库时间 2023-12-18 10:16:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-05-08

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G11C29/56 申请公布日:20150729 申请日:20150512

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2015-08-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C29/56 申请日:20150512

    实质审查的生效

  • 2015-07-29

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号