公开/公告号CN104465665A
专利类型发明专利
公开/公告日2015-03-25
原文格式PDF
申请/专利权人 格罗方德半导体公司;
申请/专利号CN201410474755.5
申请日2014-09-17
分类号H01L27/12;H01L21/77;
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟
地址 英属开曼群岛大开曼岛
入库时间 2023-12-18 08:10:40
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-11-03
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L27/12 申请公布日:20150325 申请日:20140917
发明专利申请公布后的视为撤回
2015-04-22
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/12 申请日:20140917
实质审查的生效
2015-03-25
公开
公开
机译: 具有蚀刻停止层的绝缘体上硅基板,其制造方法,在其上制造的绝缘体上硅集成电路以及使用该绝缘体上硅的绝缘体上集成电路的制造方法
机译: 具有蚀刻停止层的绝缘体上硅基板的制造方法,在其上制造的绝缘体上硅集成电路以及使用该绝缘体上硅的绝缘体上集成电路的制造方法
机译: 具有应变硅锗和III-V族半导体材料的异质CMOS集成的集成电路及其制造方法