法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-05-17
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/18 申请公布日:20120919 申请日:20120209
发明专利申请公布后的视为撤回
2014-03-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20120209
实质审查的生效
2012-09-19
公开
公开
机译: 半导体器件的制造方法,涉及在结构上沉积金属氧化物材料,对沉积的金属氧化物材料进行退火,以及使用蚀刻停止层作为蚀刻停止层来通过另一结构进行蚀刻形成。
机译: 光电器件的金属接触形成和窗口蚀刻停止
机译: 具有蚀刻停止层的晶体管,该蚀刻停止层包括选择性地形成在金属栅极上方的金属化合物