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具有低电阻率和高化学惰性的Cu-Ni-Nb三元合金薄膜及其制备工艺

摘要

一种具有低电阻率和高化学惰性的Cu-Ni-Nb三元合金薄膜及其制备工艺,属于新材料领域。在基于稳定固溶体的团簇模型指导下,确定Cu膜合金化元素的选择以及添加量,综合考虑了混合焓、团簇结构以及原子半径尺寸等因素,形成具有较高的热稳性和较低的化学反应活性的固溶体合金薄膜。固溶体结构避免了由于溶质元素大量析出导致的电阻率升高;大原子半径元素Nb的引入能够有效的阻挡Cu与周围介质之间的互扩散,与第二组元Ni的成比例添加可以使Nb的添加量大幅度降低,从而较大程度的削减了大原子本身造成的电子散射效应,有利于稳定Cu膜同时保证其电阻率受到最小的影响。可以期待该类合金同时具有扩散阻挡作用和高温稳定性。

著录项

  • 公开/公告号CN102808150A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-12-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 大连理工大学;

    申请/专利号CN201210337376.2

  • 发明设计人 李晓娜;刘立筠;董闯;

    申请日2012-09-12

  • 分类号C23C14/14;C23C14/35;

  • 代理机构大连星海专利事务所;

  • 代理人花向阳

  • 地址 116024 辽宁省大连市高新园区凌工路2号

  • 入库时间 2023-12-18 07:31:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-09-03

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C14/14 申请公布日:20121205 申请日:20120912

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2013-01-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/14 申请日:20120912

    实质审查的生效

  • 2012-12-05

    公开

    公开

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