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分栅式闪存单元以及分栅式闪存装置

摘要

本发明提供了一种分栅式闪存单元以及分栅式闪存装置。分栅式闪存单元包括:源极和漏极,位于源极和漏极之间的分栅结构,所述分栅结构包括布置在衬底上的介质层上的层叠的第一浮栅和第一控制栅极,其中第一浮栅和第一控制栅极之间布置了介质层,所述分栅结构还包括布置在衬底上的介质层上的层叠的第二浮栅和第二控制栅极,其中第二浮栅和第二控制栅极之间布置了介质层,并且第一浮栅和第一控制栅极的叠层与第二浮栅和第二控制栅极的叠层并排布置。位线区域布置在第一浮栅和第一控制栅极的叠层与第二浮栅和第二控制栅极的叠层之间。第一擦除栅极处于源极上方,第二擦除栅极处于漏极上方,第一擦除栅极和第二擦除栅极与衬底之间布置了介质层。

著录项

  • 公开/公告号CN102693987A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-09-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN201210191282.9

  • 发明设计人 顾靖;

    申请日2012-06-11

  • 分类号

  • 代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人郑玮

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号

  • 入库时间 2023-12-18 06:42:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-11-14

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L27/115 申请公布日:20120926 申请日:20120611

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2014-11-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/115 申请日:20120611

    实质审查的生效

  • 2014-06-04

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L27/115 变更前: 变更后: 登记生效日:20140507 申请日:20120611

    专利申请权、专利权的转移

  • 2012-09-26

    公开

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