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工艺开发; 闪存技术; 自对准; 嵌入式; 微米; 科技进步一等奖; 科学技术奖励; 宏;
机译:基于 0.13umCMOS 逻辑工艺 技术的 高性能应用 的嵌入式 DRAM 宏 开发
机译:用于汽车的28 nm嵌入式分栅MONOS(SG-MONOS)闪存宏通过170 MHz的200 MHz无等待读取操作实现了6.4 GB / s的读取吞吐量,在170的Tj处实现了2.0 MB / s的写入吞吐量<公式> > $ ^ {circ} $ tex> formula> C
机译:适用于汽车的40 nm嵌入式分栅MONOS(SG-MONOS)闪存宏,在170°C的结温下具有160 MHz随机访问的代码和超过10 M周期的耐久性,可存储数据
机译:适用于高密度汽车微控制器的40nm嵌入式自对准分栅闪存技术
机译:通过隧道外延,使用氮化的热氧化物作为栅绝缘体,开发自对准双栅MOSFET的工艺流程。
机译:双驱动宏纤维复合微夹钳的开发和混合位置/力控制
机译:n通道分栅嵌入式闪存中p型浮栅的编程效率高
机译:采用0.13微米CmOs技术的毫米波电压控制振荡器
机译:具有自对准工艺的分栅闪存单元
机译:使用自对准硅化物技术和多晶硅化物技术制造用于存储器嵌入式逻辑的双栅介质模块的方法
机译:电荷陷阱分栅嵌入式闪存及其相关方法
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